SIRA52DP-T1-GE3 دیتاشیت

SIRA52DP-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SIRA52DP-T1-GE3
حجم فایل 103.288 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت SIRA52DP-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SIRA52DP-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 48W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 150nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 7150pF@20V
  • Continuous Drain Current (Id): 60A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.7mΩ@10V,15A
  • Package: PowerPAK-SO-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه